一种侧向生长ZnMgO纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法专利转让、入股及许可使用
发布时间:2021-09-15    阅读次数:

一、项目信息

项目名称

一种侧向生长ZnMgO纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法专利转让、入股及许可使用

项目编号

2021JSCQJY0016

专利名称

侧向生长ZnMgO纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法

专利号

CN201310123454.3

专利类型

发明专利

专利申请日

2015.10.14

公开(公告)日

2013.07.31

目前技术阶段

实验室

项目有效期

一年

专利详情

本发明公开了一种侧向生长ZnMgO纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法。该探测器包括有衬底、衬底上的叉指状ZnO薄膜种子层、蒸镀在ZnO种子层顶部的叉指状金属电极以及在叉指状ZnO薄膜种子层侧面生长的ZnMgO纳米线。本发明中ZnMgO纳米线具有高的比表面积,可以有效实现光生载流子的分离,具有更高的光电流增益,器件制作工艺简单、成本低。

应用范围

本发明涉及光电探测技术领域,具体为一种侧向生长ZnMgO纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法。利用侧向生长的一维 ZnMgO 纳米线直接构筑日盲区紫外探测器,无需对纳米结构进行后处理操纵。制备工艺简单,衬底表面无污染,是一种新型、有效的纳米器件制作方法。

方式

R转让  R入股  £合作  R许可使用  £其他       

技术所处行业

先进制造与自动化

先进性

行业领先

意向交易价格(万元)

10-100万

、权属信息

成果所有权人

中国科学院安徽光学精密机械研究所

所在地区

安徽省合肥市蜀山区

交易机构信息

机构名称

安徽联合技术产权交易所

联系人

管工

联系方式

0551-65909081

地址

安徽创新馆3号馆1

信息发布网址

www.ahtre.com